快一百万倍！全球最快半导体电荷存储技术发布

原标题：“破晓”比传统闪存快一百万倍！全球最快半导体电荷存储技术发布

复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院科研团队日前发布一项半导体电荷存储技术，每秒可执行25亿次操作，这是迄今为止全球最快的半导体电荷存储技术。这一成果已在国际知名学术期刊《自然》发表。

“破晓”每秒可执行25亿次操作

复旦大学科研团队将这个存储器命名为“破晓”，只有1平方厘米大小，外观和普通存储器别无二致，然而它通过创新的物理机制，将存储器擦写速度提升到400皮秒实现一次擦或者写，一皮秒只相当于一万亿分之一秒。“破晓”这个速度相当于每秒可执行25亿次操作，比传统闪存快一百万倍。

复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室研究员刘春森：这一速度的提升是极具突破性的，完全打破了现有的存储技术框架的理论瓶颈。

据介绍，团队科研人员提出了全新的提速思路，这一创新不仅实现了速度上的巨大突破，而且这种新型存储器在掉电的情况下，数据也不会丢失。